Surface recombination in doped semiconductors : Effect of light excitation power and of surface passivation Article - Septembre 2013

Fabian Cadiz, D. Paget, A. Rowe, V. Berkovits, V. Ulin, S. Arscott, E. Peytavit

Fabian Cadiz, D. Paget, A. Rowe, V. Berkovits, V. Ulin, S. Arscott, E. Peytavit, « Surface recombination in doped semiconductors : Effect of light excitation power and of surface passivation  », Journal of Applied Physics, septembre 2013, p. 103711. ISSN 0021-8979

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